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今日SiC电子学
被引：11
作者：
党冀萍
机构：
[1] 河北半导体研究所
来源：
关键词：
碳化硅,微波功率器件,功率器件;
D O I：
暂无
中图分类号：
TN304.240.1 [];
学科分类号：
摘要：
ＳｉＣ是近几年迅速发展的一种半导体材料，在微波功率器件、功率电子开关器件、高温工作器件等方面比Ｓｉ和ＧａＡｓ具有更大的优势。本文介绍了ＳｉＣ材料特性、材料制备及目前器件研制水平。
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页数：5
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