减小光刻中驻波效应的新方法研究

被引：4

作者：

肖啸

杜惊雷

郭永康

杨静

谢世伟

机构：

[1] 四川大学物理科学与技术学院

[2] 四川大学物理科学与技术学院成都

[3] 成都

来源：

微细加工技术 | 2002年 / 04期

关键词：

后烘(PEB); 光敏混合物(PAC); 驻波效应; 模拟;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN305.7 [光刻、掩膜];

学科分类号：

1401 ;

摘要：

光刻过程中 ,抗蚀剂内部光敏混合物 (PAC)浓度受光场的影响呈驻波分布 ,导致抗蚀剂显影后的侧壁轮廓成锯齿状。分析了后烘 (PEB)对PAC浓度分布的影响 ,模拟了不同后烘扩散长度下的抗蚀剂显影轮廓 ,从模拟结果可知利用后烘可明显减小驻波效应 ,得到平滑的抗蚀剂显影轮廓 ,提高光刻质量。

引用

页码：36 / 39+44 +44

页数：5

共 6 条

[1]

Development of positive photoresist. C A Mack. J Electrochem Soc: Solid-State Sci Technol . 1987

[2]

Photoresist characterization for lithography simulation part 3: development parameter measurement. Clifford L Henderson,Pavlos C Tsiartas,Sanju N PanChoil,et al. Proceedings of SPIE the International Society for Optical Engineering . 1997

[3]

Characterization of positive photoresist. F. H. Dill,W. P. Hornberger,P. S. Hauge,et al. IEEE Transactions on Electron Devices . 1975

[4]

Optical lithography. F H Dill. IEEE Transactions on Electron Devices . 1975

[5]

Photoresist characterization for lithographysimulation part 2: exposure parameter measurements. Clifford L Henderson,Sanju N PanChoil,Sajed A Chowdury. Proceedings of SPIE the International Society for Optical Engineering . 1997

[6]

Standing Wave in Photoresist. J E Korka. Applied Optics . 1970

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