未找到相关数据
磷砷镓铟禁带宽度的光电压光谱法测定
被引：2
作者：
方志烈
杨恒青
机构：
[1] 复旦大学
来源：
关键词：
禁带宽度;
电压;
磷化;
外延材料;
磷酸盐处理;
样品架;
半导体结;
异质结;
InP;
D O I：
10.16818/j.issn1001-5868.1981.02.053
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
采用光电压光谱法测定InGaAsP/InP单异质结和双异质结外延材料的禁带宽度,为此材料和器件的研制提供了一种简便而有效的测试方法。
引用
收藏
页码：202 / 205
页数：4
相关论文