ZnO压敏陶瓷的晶界行为

被引：4

作者：

刘桂香

徐光亮

马建军

刘文斌

吴金明

机构：

[1] 西南科技大学材料科学与工程学院

来源：

陶瓷学报 | 2004年 / 02期

关键词：

ZnO; 压敏电阻; 晶界; 肖特基势垒;

D O I：

10.13957/j.cnki.tcxb.2004.02.013

中图分类号：

TQ174.756 [];

学科分类号：

0809 ;

摘要：

晶界的结构、组成、性能以及相之间的界面与氧化锌压敏陶瓷的非线性、电性能、老化、化学性能方面有着重要联系。本文就ZnO压敏陶瓷的晶界行为以及工艺技术对晶界的影响因素进行了讨论 ,分析了关于ZnO压敏陶瓷导电、老化的晶界机理 ,大量研究表明 ,其多种特性均为晶界现象。

引用

页码：128 / 132

页数：5

共 7 条

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