半导体脉冲功率开关RSD的开通电压特性研究

被引：5

作者：

杜如峰

余岳辉

彭昭廉

李焕炀

胡乾

机构：

[1] 华中科技大学电子科学与技术系

[2] 华中科技大学电子科学与技术系湖北武汉

[3] 湖北武汉

来源：

关键词：

半导体开关; 功率器件; RSD; 开通电压;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN303 [结构、器件];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;

摘要：

RSD(ReverselySwitchedDynistor)是一种晶闸管与晶体管相间排列的多元胞结构高速大功率半导体开关器件,该器件采用控制等离子体层触发的开通模式。文章从理论上推导出其最大开通电压,并研究了该电压与器件结构参数之间的关系,给出了降低器件功耗的方法。

引用

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页数：4