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热生长超薄栅氧化层的空穴击穿机理与碰撞电离模型
被引：3
作者：
刘红侠
郝跃
机构：
[1] 西安电子科技大学微电子所
来源：
关键词：
超薄栅氧化层,碰撞电离,击穿机理,模型,缺陷;
D O I：
暂无
中图分类号：
TN306 [可靠性及例行试验];
学科分类号：
0805 ;
080501 ;
080502 ;
080903 ;
摘要：
分析了超薄栅氧化层击穿的碰撞电离模型，并对空穴击穿机理进行了详细描述，为超薄栅氧化层的击穿机理的深入研究及超薄栅氧化层击穿模型的建立奠定了基础．
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