双MOS晶体管等效电阻

被引：3

作者：

沈杰，靳东明，李志坚

机构：

[1] 清华大学微电子学研究所

来源：

清华大学学报(自然科学版) | 1999年 / 05期

关键词：

电阻；电流补偿；萨方程；饱和区；非饱和区;

D O I：

10.16511/j.cnki.qhdxxb.1999.05.028

中图分类号：

TN432 [场效应型];

学科分类号：

080903 ; 1401 ;

摘要：

用两个源端接地、漏端接在一起的ＭＯＳ管，使其分别工作于饱和区和非饱和区，可组成等效电阻，即用有源器件实现了电阻的功能。模拟及测试结果表明，当工作电压在１～４Ｖ范围内时，阻值变化在５％以内。双ＭＯＳ管电阻实际上是对单ＭＯＳ管线性区电阻的补充和改进，结构简单，阻值从１ｋΩ到几十ｋΩ且易于调整，采用标准ＣＭＯＳ工艺制作。

引用

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