不同电介质结构下介质阻挡放电特性研究

被引：4

作者：

董丽芳 ^{[1
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杨玉杰 ^{[1
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刘为远 ^{[1
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岳晗 ^{[1
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王帅 ^{[1
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刘忠伟 ^{[2
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陈强 ^{[2
]}

机构：

[1] 河北大学物理科学与技术学院

[2] 北京印刷学院等离子体物理材料实验室

来源：

物理学报 | 2011年 / 60卷 / 02期

关键词：

介质阻挡放电; 壁电荷; 二次电子发射;

D O I：

暂无

中图分类号：

O461 [气体放电（气体导电）];

学科分类号：

摘要：

设计制作了单面有氧化铟锡(ITO)导电介质层的双玻璃介质层的介质阻挡放电装置,研究了其放电特性,并将其与双玻璃介质层和单玻璃介质层的介质阻挡放电进行了比较.从电荷输运的角度分析,上述三种装置分别实现了电荷的二维、零维和三维输运.采用两种不同的双玻璃介质层装置,获得了单个稳定的放电丝.与无ITO导电层的双玻璃结构得到的单个放电丝相比,单面有导电ITO介质的双玻璃结构中,单放电丝呈"T"字型,其光晕是前者光晕的2倍,其放电电流大于前者电流,其放电时间间隔长短交替现象更为明显,且存在强度大小交替的现象.分析表明,壁电荷输运及二次电子发射的不同导致了不同电介质结构放电特性的不同.

引用

页码：526 / 531

页数：6

共 7 条

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