磷掺杂纳米硅薄膜的研制

被引：12

作者：

刘明

王子欧

奚中和

何宇亮

机构：

[1] 中国科学院微电子中心!北京

[2] 北京大学微电子中心!北京

[3] 北京大学电子工程系!北京

[4] 南京大学固体微结构物理国家实验室!南京

来源：

物理学报 | 2000年 / 05期

关键词：

纳米硅薄膜; 微结构; 纳米相; 土壤结构; 掺磷; 磷掺杂; 掺杂浓度; 衬底温度;

D O I：

暂无

中图分类号：

O484 [薄膜物理学];

学科分类号：

080501 ; 1406 ;

摘要：

用PECVD薄膜沉积方法 ,成功地制备了磷掺杂纳米硅 (nc Si:H(P) )薄膜 .用扫描隧道电镜 (STM )、Raman散射、傅里叶变换红外吸收 (FTIR)谱、电子自旋共振 (ESR)、共振核反应 (RNR)技术对掺磷纳米硅进行了结构分析 ,确认了样品的微结构为纳米相结构 .掺磷后膜中纳米晶粒的平均尺寸d减小 ,一般在 2 5— 4 5nm之间 ,且排列更加有序 .掺磷nc Si:H膜具有较高的光吸收系数 ,光学带隙在 1 73— 1 78eV之间 ,和本征nc Si:H相同 .掺杂nc Si:H薄膜电导率在 10 -1— 10 1Ω-1·cm-1之间 ,比本征nc Si:H提高了二个数量级 ,室温暗电导最高已达 5 0 5Ω-1·cm-1.同时电导激活能在 0 0 1— 0 0 3eV之间 ,比本征nc Si:H进一步降低

引用

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