中红外激光功率密度探测单元的研制

被引：9

作者：

杨鹏翎 ^{[1
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冯国斌 ^{[2
]}

王群书 ^{[2
]}

闫燕 ^{[2
]}

程建平 ^{[1
]}

机构：

[1] 清华大学工程物理系

[2] 西北核技术研究所

来源：

强激光与粒子束 | 2008年 / 08期

关键词：

HgCdTe探测器; 中红外激光; 温度; 自适应校正;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN247 [光检测技术];

学科分类号：

0803 ; 080401 ; 080901 ;

摘要：

采用室温光导型HgCdTe探测器,研制了可用于中红外激光功率密度测量的探测单元,主要包括衰减片、探测器、放大电路、数据采集和信号处理5个部分。分析了室温中红外HgCdTe光电探测器的温度特性,并提出了探测器响应率温度自适应校正模型。该探测单元工作温度为-40～30℃,功率密度测量不确定度小于20%。

引用

页码：1249 / 1252

页数：4

共 6 条

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