光微变及微光的光敏二极管探测电路的研究

被引：5

作者：

宋俊磊

杨勇

王典洪

机构：

[1] 中国地质大学机电学院

[2] 中国地质大学数理系湖北武汉

[3] 湖北武汉

来源：

光电技术应用 | 2005年 / 03期

关键词：

光敏二极管; 微弱光; 探测器; 运算放大器;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN31 [半导体二极管];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;

摘要：

光敏二极管的开路电压随光照强度的增加,成对数式增大,当光强在一定范围内变化时,开路电压随光强变化的斜率很大,利用此特性的光探测电路,对光强的微弱变化十分敏感,适用于侵入监测和需要准确监控光强变化的情况.分析比较了几种可用于光探测的运算放大器电路,提出了实现微光及光微变的光敏二极管探测的方案.

引用

页码：25 / 27+52 +52

页数：4

共 9 条

[1]

图解运算放大器电路.[M].(日)内山明治;(日)村野靖著;陈镜超译;.科学出版社.2000,

[2]

特殊电量的测量.[M].顾洪涛;钱国柱[编著];.中国电力出版社.2000,

[3]

光电检测技术.[M].雷玉堂等编著;.中国计量出版社.1997,

[4]

集成运算放大器分析与应用.[M].严楣辉;杨光璧编;.成都电讯工程学院出版社.1988,

[5]

运算放大器.[M].[捷]多斯达尔(Dostal;J·) 著;卢淦译.中国计量出版社.1987,

[6]

集成运算放大器原理与应用.[M].李清泉;黄昌宁编著.科学出版社.1980,

[7]

半导体物理学.[M].刘恩科等编;.国防工业出版社.1979,

[8] 硅紫外增强光伏探测器件中的异常光电特性 [J].

袁涛 ;

陈炳若 ;

吴牧 ;

郑若成 .

光电子技术, 2004, (01) :16-20

[9] 能用于微弱光探测的硅光敏器件 [J].

张君和 .

半导体光电, 1992, (01) :51-55

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