新型磁控溅射法合成C3N4/TiN复合膜

被引：3

作者：

何孟兵

叶明生

范炜

彭友贵

范湘军

吴大维

机构：

[1] 武汉大学

来源：

关键词：

氮化碳，磁控溅射，非平衡磁场，对阴极;

D O I：

10.14136/j.cnki.issn1673-2812.1998.04.007

中图分类号：

TQ127.16 [];

学科分类号：

0817 ;

摘要：

本工作采用在封闭型非平衡磁场ｄｃ磁控溅射系统中增加对阴极的方法制备Ｃ３Ｎ４／ＴｉＮ复合交替膜，用获得的ＴｉＮ对进行Ｃ３Ｎ４强迫晶化，Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）和电子衍射（ＴＥＤ）分析表明生成了立方氮化碳（ｃ－Ｃ３Ｎ４）。交替膜的界面处有ＴｉＣ的生成。

引用

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