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21世纪的光刻技术
被引：1
作者：
姚汉民
机构：
[1] 微细加工光学技术国家重点实验室主任
来源：
关键词：
光刻技术;
nm;
准分子激光;
光学光刻;
电子束光刻;
电子束加工;
D O I：
暂无
中图分类号：
TN305 [半导体器件制造工艺及设备];
学科分类号：
1401 ;
摘要：
<正> 当前世界半导体工业按照摩尔定律,以快速发展的势头向21世纪,光刻特征线宽越来越小,硅片直径越来越大,制造成本越来越高。到2000年0.18μm工艺、300mm硅片的技术将完全进入规模化大生产阶段。在不远的将来,微电子设备的发展将达到传统光学方法的分辨率极限,光学光刻曝光波长将由i线向深紫q外迈进。现在在0.25μm—0.35μm生产阶段,当IC器件
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