掺Sb二氧化锡半导体导电机理的实验探讨

测量了650～1200℃范围内烧成的掺杂 Sb2O3的 SnO2样品的电阻率。实验表明,随样品烧成温度的提高,样品的电阻率下降。X 射线物相分析指出,在650～1000℃烧成的样品,Sb2O3完全转变成了 Sb2O4,1100℃烧成的样品大部分为 Sb2O4,而1200℃烧成的样品几乎全为 Sb2O3。对于不同温度下烧成的样品作了精密晶胞参数测定,结果表明,在半密封条件下,650～1100℃使 SnO2半导化的是 Sb2O4中的 Sb5+,在1200℃使 SnO2半导化的是 Sb5+和双电离的氧空位 V。（?）。