ZnO压敏电阻器的性能及发展

被引：15

作者：

傅静

徐政

机构：

[1] 同济大学材料科学与工程学院

[2] 同济大学材料科学与工程学院上海

[3] 上海

来源：

现代技术陶瓷 | 2004年 / 01期

关键词：

ZnO压敏电阻器; 性能; 发展; 添加剂; Bi2O3; TiO2; 晶粒生长;

D O I：

10.16253/j.cnki.37-1226/tq.2004.01.008

中图分类号：

TQ174.1 [基础理论];

学科分类号：

0805 ; 080502 ;

摘要：

简要回顾了ZnO压敏电阻器的历史 ,阐述了ZnO压敏电阻器的性能以及当前基础性研究的现状 ,并对其发展进行了展望。研究了Bi2 O3 和TiO2 的掺杂对低压ZnO压敏电阻性能和微观结构的影响规律 ,从理论上分析了Bi2 O3 和TiO2 添加剂的作用机理。为ZnO压敏电阻的低压化提供了理论依据和方法。

引用

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