微波烧结氧化锌压敏电阻的致密化和晶粒生长

被引：10

作者：

林枞 ^{[1
]}

徐政 ^{[1
]}

彭虎 ^{[2
]}

孙丹峰 ^{[3
]}

机构：

[1] 同济大学材料科学与工程学院

[2] 长沙隆泰微波热工有限公司

[3] 苏州中普电子有限公司

来源：

无机材料学报 | 2007年 / 05期

关键词：

微波烧结; 氧化锌压敏电阻; 致密化; 晶粒生长动力学;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN304 [材料];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;

摘要：

研究了微波烧结的ZnO压敏电阻的致密化和生长动力学,微波烧结温度从900～200℃,保温时间从20min～2h.研究表明,微波烧结ZnO压敏电阻的物相组成和传统烧结的样品没有区别;微波烧结有助于样品的致密化,并降低致密化温度.随着烧结温度的升高,致密化和反致密化作用共同影响样品的密度,其中Bi的挥发是主要影响因素.微波烧结ZnO压敏电阻的晶粒生长动力学指数为2.9～3.4,生长激活能为225kj/mol,传统烧结的ZnO压敏电阻的晶粒生长动力学指数为3.6～4.2,生长激活能为363kJ/mol.液相Bi2O3、尖晶石相和微波的"非热效应"是影响微波烧结ZnO压敏电阻陶瓷晶粒生长的主要因素.

引用

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