V形槽的腐蚀及其应用

被引:2
作者
孙彦卿
石广元
机构
[1] 辽宁大学物理系
关键词
晶面; 低指数; 面(晶体); 晶种; 腐蚀液; 窗孔; 各向异性腐蚀; 联氨; 氮化合物; 钻蚀; 单晶; 晶形; 掩模版; 腐蚀速率; 硅片; 凸角;
D O I
10.13290/j.cnki.bdtjs.1981.04.006
中图分类号
学科分类号
摘要
本文简要地回顾了腐蚀V形槽的几种方法。并以联氨(N2H4)腐蚀V形槽工艺为主,结合半导体硅的结构报告了腐蚀方法,及达到最佳化的条件。并指出了此工艺的应用。
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