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V形槽的腐蚀及其应用
被引:2
作者
:
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
孙彦卿
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
石广元
机构
:
[1]
辽宁大学物理系
来源
:
半导体技术
|
1981年
/ 04期
关键词
:
晶面;
低指数;
面(晶体);
晶种;
腐蚀液;
窗孔;
各向异性腐蚀;
联氨;
氮化合物;
钻蚀;
单晶;
晶形;
掩模版;
腐蚀速率;
硅片;
凸角;
D O I
:
10.13290/j.cnki.bdtjs.1981.04.006
中图分类号
:
学科分类号
:
摘要
:
本文简要地回顾了腐蚀V形槽的几种方法。并以联氨(N2H4)腐蚀V形槽工艺为主,结合半导体硅的结构报告了腐蚀方法,及达到最佳化的条件。并指出了此工艺的应用。
引用
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页码:19 / 24
页数:6
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