钛掺杂对介孔硅材料结构性能的影响

被引：14

作者：

王连洲

施剑林

禹剑

阮美玲

严东生

机构：

[1] 中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷与超微结构国家重点实验室!上海，

[2] 中国科学院上海硅酸盐研究所高性能

来源：

无机材料学报 | 1999年 / 01期

关键词：

介孔硅材料; Ti掺杂; 介孔结构;

D O I：

暂无

中图分类号：

TB321 [无机质材料];

学科分类号：

摘要：

在室温碱性条件下合成了Ti掺杂的介孔硅材料MCM－41，借助XID3、IR、HREM和N2吸附等分析手段，探讨了Ti掺杂量对介孔材料结构和性能的影响．结果表明：掺杂的Ti离子可以进入Si骨架，并生成Si－O－Ti键．随着Ti掺杂量的增加，六方规则排列的介孔硅结构有序度下降，最终可导致结构一致性的破坏．

引用

页码：49 / 54

页数：6