CMOS成像器件性能测试方法的研究

被引：11

作者：

尚媛园

张伟功

宋宇

刘卉

机构：

[1] 首都师范大学信息工程学院

来源：

关键词：

CMOS成像器件; 读出噪声; 增益; 量子效率; 满阱电荷;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN386.1 [金属-氧化物-半导体（MOS）器件];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;

摘要：

针对CMOS成像器件结构的特殊性,发展并提出了"像元光子转移技术"法测量增益和读出噪声。同时对CMOS器件的线性度、满阱电荷、暗流、不均匀性和量子效率等性能的测试方法进行了研究。最后基于2k×2kCMOS芯片进行了性能测试实验,实验结果也验证了该测试方法的可行性和可靠性。

引用

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