水平磁场对熔体热对流抑制作用的理论分析

被引：2

作者：

孙茂友

万群

秦福

机构：

[1] 北京有色金属研究总院

来源：

关键词：

理论分析; 磁场强度; 磁致; 浮力; 磁化力; 外力; 硅熔体; 对流速度; 抑制作用; 基因互作; 热对流; 水平磁场;

D O I：

10.13373/j.cnki.cjrm.1991.01.016

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

<正> 在直拉硅单晶生长过程中,熔体热对流对单晶质量有很大影响。一方面,热对流引起的温度波动可引起生长速率的变化,因晶体回熔而引入微缺陷,降低单晶的均匀性;另一方面,热对流将直接影响单晶中的间隙氧含量,并进一步影响到随后的氧沉淀形成。因此,在单晶生长过程中如何控制或抑制熔体的热对流越来越受到重视。

引用

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