Sb2Te3热电薄膜的离子束溅射制备与表征

被引：4

作者：

范平

郑壮豪

梁广兴

张东平

蔡兴民

机构：

[1] 深圳大学物理科学与技术学院,薄膜物理与应用研究所,深圳市传感器技术重点实验室

来源：

物理学报 | 2010年 / 59卷 / 02期

关键词：

离子束溅射; Sb2Te3薄膜; 热电材料; 热处理;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN305.92 [溅射];

学科分类号：

1401 ;

摘要：

采用离子束溅射技术交替沉积Sb-Te-Sb多层薄膜后进行高真空热处理,直接制备Sb2Te3薄膜.利用X射线衍射(XRD)仪、霍尔系数测试仪、薄膜Seebeck系数测量系统对所制备的薄膜特性进行表征.XRD测量结果显示,薄膜的主要衍射峰与Sb2Te3标准衍射峰相同,在[101]/[012]晶向取向明显,存在较多的Te杂质峰;霍尔系数测试结果表明,薄膜为p型半导体薄膜,薄膜电阻率较低,其电导率接近于金属电导率,载流子浓度量级为1023cm-3,具有良好的电学性能;Seebeck系数测量结果显示,薄膜具有良好的热电性能,在不同条件下制备的薄膜的Seebeck系数在7.8—62μV/K范围;在所制备的薄膜中,退火时间为6h、退火温度为200℃的薄膜其Seebeck系数达到最大,约为62μV/K,且电阻率最小.

引用

页码：1243 / 1247

页数：5