金属薄膜电迁移1/f噪声与1/f2噪声统一模型

被引：9

作者：

杜磊

庄奕琪

薛丽君

机构：

[1] 西安电子科技大学

[2] 西安电子科技大学西安

[3] 西安

来源：

物理学报 | 2002年 / 12期

关键词：

金属薄膜; 1fγ噪声; 电迁移; 自由体积;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN405 [制造工艺];

学科分类号：

080903 ; 1401 ;

摘要：

应用晶粒边界自由体积的概念建立了能够统一描述金属薄膜 1 f噪声与 1 f2 噪声的模型 .该模型表明 ,结构完整的多晶金属薄膜产生的电噪声为 1 f噪声 ,当金属薄膜受到电迁移损伤而形成空洞时就会引入 1 f2 噪声的成分 .在电迁移应力实验中 ,观察到金属薄膜 1 fγ噪声在空洞成核前γ约为 1 0 ,一旦发生空洞成核 ,即突增至 1 6以上 ,这一规律与本模型的预测相符合

引用

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