A1N陶瓷中的晶格缺陷

被引：6

作者：

何旭初

徐洁

丘泰

机构：

[1] 南京化工大学材料科学与工程系

来源：

南京化工大学学报 | 1995年 / S1期

关键词：

氮化铝；晶格缺陷；热导率；显微结构;

D O I：

暂无

中图分类号：

TQ174.1 [基础理论];

学科分类号：

081705 [工业催化];

摘要：

用透射电镜观察了不同热导率的Ａ１Ｎ陶瓷中存在的晶格缺陷，这类缺陷主要以位错线形式呈现，分布不均匀，大多集中在晶界处。一些晶粒中存在反相畴界。热导率不同的试样其缺陷密度明显不同，氧杂质进入Ａ１Ｎ晶格并形成铝空位是产生晶格缺陷的主要原因，也对晶格参数有显著影响。分析了抑制晶格缺陷形成、提高热导率的工艺措施。

引用

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