霍山石斛未成熟种胚的离体培养研究

被引：13

作者：

杨其光

王立安

王立志

机构：

[1] 安徽农学院,安徽大学,安徽中医学院合肥,合肥,合肥

来源：

关键词：

霍山斛; 组织培养;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

霍山石斛九月和十月的未成熟种胚可以在含BA1mg/L和NAA0.5mg/L的MS或Kundson培养基正常发育并形成完整植株。未成熟种胚先在暗中培养22天,以后在低光强下培养,可以得到最高发芽率(91%),其最适的发芽温度是25～27℃。

引用

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