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纳米材料的晶格畸变与反常过剩电阻
被引：10
作者：
秦荣山，周本濂
机构：
[1] 中国科学院金属研究所，中国科学院国际材料物理中心
来源：
关键词：
纳米晶，晶格畸变，Landauer电阻;
D O I：
暂无
中图分类号：
O48 [固体物理学];
学科分类号：
070205 ;
0805 ;
080502 ;
0809 ;
摘要：
利用Ｌａｎｄａｕｅｒ理论研究了纳米材料晶体部分的晶格畸变对材料电阻率的贡献．推导出Ｌａｎｄａｕｅｒ电阻率与晶格膨胀率的关系．数值计算表明，纳米金属材料的电阻率随晶格膨胀率的增加而非线性升高．
引用
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页数：4
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