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ZnO压敏陶瓷中的本征缺陷
被引：3
作者：
傅刚
陈志雄
石滨
机构：
[1] 广州师范学院物理系!广州
来源：
关键词：
本征缺陷;
添加剂;
晶体缺陷;
压敏陶瓷;
损耗峰;
能级;
ZnO;
势垒高度;
电子跃迁;
辐射跃迁;
D O I：
暂无
中图分类号：
O482.41 [压电现象、电致伸缩];
学科分类号：
070205 ;
0805 ;
080502 ;
0809 ;
摘要：
研究了ZnO-Sb2O3-BaO系和ZnO-Bi2O3-Sb2O3-BaO系压敏陶瓷的介电损耗因子D（tanδ）与频率f的关系。发现不含Bi2O3试样在室温附近出现一新的损耗峰,峰值频率在2MHz左右,对应的电子陷阱能级为0.18eV,分析认为是由于本征缺陷Zni所致。设想Bi离子对Zni的出现有抑制作用,这与随Bi2O3添加剂含量增多,压敏陶瓷在长期电负荷下的抗退降性能得到改善的实验事实相一致。
引用
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页码：850 / 853
页数：4
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