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非晶态异质结构a-Si:H/a-SiNx:H和a-Si:H,a-SiNx:H薄膜的应力研究
被引：4
作者：
王万录
廖克俊
机构：
[1] 兰州大学物理系
来源：
关键词：
伸张应力;
压缩应力;
a-Si;
异质结构;
Si;
非晶态;
应力研究;
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
实验发现在一定Si—H键浓度下,相对于平坦的硅衬底而言,在其上沉积的a-Si:H薄膜具有压缩应力,a-SiNx:H薄膜具有伸张应力。当a-Si:H和a-SiNx:H层厚度比近似于1:2时,硅衬底上生长的a-Si:H/a-SiNx:H/c-Si样品,弯曲最小,并能保持很长时间。文中还给出了应力随退火变化的情况,并对实验结果进行了讨论。
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页码：1529 / 1537
页数：9
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