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p型GexSi1-x/Si多量子阱的红外吸收及其分析
被引：3
作者：
俞敏峰
杨宇
沈文忠
朱海军
龚大卫
盛篪
王迅
机构：
[1] 复旦大学应用表面物理国家重点实验室
[2] 中国科学院上海冶金研究所
[3] 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室
[4] 复旦大学表面物理国家重点实验室
来源：
关键词：
量子阱探测器;
正入射;
多量子阱;
轻空穴;
Si;
Ge_xSi;
交换相关势;
红外吸收;
跃迁;
D O I：
暂无
中图分类号：
O471 [半导体理论];
学科分类号：
摘要：
通过测量ＧｅＳｉ多量子阱的红外谱，同时观察到了相应于量子阱内重空穴基态ＨＨ０到重空穴激发态ＨＨ１、轻空穴激发态ＬＨ１和自旋分裂带ＳＯ及连续态间的跃迁吸收．测量了ＧｅＳｉ多量子阱探测器的正入射光电流谱，看到了明显的光响应峰．理论计算中计及了轻、重和自旋分裂带间的耦合及能带的非抛物性，并自洽考虑了哈特里势和交换相关势．与实验结果比较，认为带之间的耦合，使子带间的跃迁情况变得复杂，是正入射吸收产生的原因
引用
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页码：118 / 124
页数：7
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