ZnO基稀磁半导体的第一性原理研究进展

被引：5

作者：

吴瑞强

马勇

张楠

机构：

[1] 重庆市光电功能材料重点实验室,重庆师范大学光学工程重点实验室

来源：

关键词：

第一性原理; ZnO; 稀磁半导体; 居里温度; 研究进展;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN304 [材料];

学科分类号：

080906 [电磁信息功能材料与结构];

摘要：

综述了ZnO基稀磁半导体的应用意义及其近些年以来的研究进展。从晶体结构、材料的第一性原理研究现状和待解决的问题几个方面阐述了以ZnO基稀磁半导体的基本特点,并展望了今后的研究重点及发展方向。

引用

页码：41 / 42+51 +51

页数：3

共 3 条

[1]

Wu, Yifang ;

Chen, Houyang .

[2]

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Yuan, H. K. .

[3]

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Lu Peng-Fei ;

Yu Zhong-Yuan ;

Zhao Long ;

Li Qiong-Yao ;

Wu Cheng-Jie ;

Ding Lu .