超晶格多层膜的电化学制备、表征及其GMR特性的研究

被引：23

作者：

姚素薇

赵瑾

王宏智

董大为

机构：

[1] 天津大学化工学院,天津大学化工学院,天津大学化工学院,天津大学化工学院天津,天津,天津,天津

来源：

物理化学学报 | 2003年 / 10期

关键词：

电沉积; 超晶格; 多层膜; 巨磁电阻(GMR); 结构;

D O I：

暂无

中图分类号：

O484 [薄膜物理学];

学科分类号：

070204 [等离子体物理];

摘要：

以半导体Si为衬底,电化学沉积Cu/Co超晶格多层膜,用SEM表征多层膜的断面形貌.XRD研究表明,多层膜的调制波长为20～160nm时,膜层间发生外延生长.随着调制波长的减小,外延生长对膜层结构的影响越来越明显.当调制波长小于20nm时,在XRD强衍射峰的两侧出现卫星峰,表明多层膜形成超晶格结构.根据卫星峰位置计算的调制波长与由法拉第定律估算的结果非常接近.多层膜的巨磁电阻(GMR)性能随多层膜周期数的增加而增大;当周期数大于300时,GMR性能基本上不再随周期数变化,说明基体的导电性质对GMR的影响可以忽略.

引用

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