TiO2掺杂对ZnO压敏电阻低压化过程的影响

被引：10

作者：

何忠伟

徐政

孙丹峰

机构：

[1] 同济大学材料科学与工程学院

[2] 苏州中普电子有限公司上海　

[3] 上海　

[4] 江苏苏州　

来源：

硅酸盐学报 | 2004年 / 09期

关键词：

氧化锌; 压敏电阻; 氧化钛掺杂; 晶粒长大; 低压化;

D O I：

10.14062/j.issn.0454-5648.2004.09.024

中图分类号：

TM54 [电阻器、电位器];

学科分类号：

摘要：

近年来,加入晶粒助长剂TiO2以实现低压化的低压ZnO压敏电阻发展迅速。实验所用配方为掺杂TiO2的98.3%ZnO0.7%Bi2O31.0%TiO2(摩尔分数)和相应无TiO2掺杂的配方,在900～1200℃下烧结制备样品。给出了相分析、半定量分析及电性能测试结果。发现TiO2可以有效促进ZnO晶粒长大,降低压敏电压梯度。1100℃下,TiO2掺杂试样的平均晶粒尺寸为56.4μm,远大于无TiO2掺杂的31.8μm。大部分TiO2首先与Bi2O3反应生成Bi4(TiO4)3液相,这大大促进了ZnO晶粒生长。高于1000℃时Bi4(TiO4)3分解,分解出的TiO2与ZnO发生反应,生成Zn2TiO4尖晶石相,晶粒生长受阻,直至停止。

引用

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页数：4

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共 2 条

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