共 1 条
[1]
Piezoresistanceccffect in Germanium and Silicon. Smith C S. Physical Review . 1954
硅压阻式低压传感器研制
被引：3
作者：
朱秀文
张维新
毛干茹
宫丽文
机构：
[1] 天津大学电子工程系
来源：
关键词：
传感器;
压阻效应;
压力灵敏度;
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
以各向异性腐蚀技术制造的矩形硅膜片为弹性敏感元件,研制了硅压阻式低压传感器。通过对矩形硅膜上应力分布的分析和计算,确定了力敏电阻的最佳位置和尺寸。压敏电阻全桥采用集成电路技术制作在2.5mm×5.5mm、厚35μm的矩形硅膜片上。在0～20kPa压力范围内,测得577μV/kPa·V的灵敏度,理论和实验结果有较好的一致性。
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页数：5
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