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非晶Si/SiO2超晶格的制备及其光谱研究
被引：10
作者：
刘宁宁
孙甲明
潘少华
陈正豪
王荣平
师文生
王晓光
机构：
[1] 中国科学院物理研究所光物理开放实验室!北京
[2] 中国科学院凝聚态物理中心!北京
来源：
基金：
国家攀登计划;
关键词：
超晶格结构;
光谱技术;
厚度;
蓝移;
光学吸收边;
非晶相;
Si/SiO2;
光致发光光谱;
SiO;
光谱研究;
D O I：
暂无
中图分类号：
O7 [晶体学];
学科分类号：
0702 ;
070205 ;
0703 ;
080501 ;
摘要：
用磁控溅射方法在玻璃基底上制备了非晶Si/SiO2 超晶格 .利用透射电子显微镜 (TEM)和X射线衍射技术对其结构进行了分析 ,结果表明 ,超晶格中Si层大部分区域为非晶相 ,局域微区呈现有序结构 ,其厚度由 1.8— 3.2nm变化 ,SiO2 层厚度为 4.0nm .并采用多种光谱测量技术 ,如吸收光谱、光致发光光谱和Raman光谱技术 ,对该结构的光学性质进行了系统研究 .结果表明 ,随纳米Si层厚度的减小 ,光学吸收边以及光致荧光峰发生明显蓝移 ,Ra man峰发生展宽 ,即观测到明显的量子尺寸效应
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页码：1019 / 1022
页数：4
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