68.5 W连续输出1 060 nm波段半导体激光列阵模块

被引：12

作者：

尧舜

套格套

路国光

刘云

姚迪

王立军

机构：

[1] 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理实验室

来源：

光学精密工程 | 2006年 / 01期

关键词：

半导体激光器; 高功率激光器; 列阵模块; 高反膜; 增透膜;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN248.4 [半导体激光器];

学科分类号：

摘要：

利用InGaAs/InGaAsP应变量子阱外延层材料制作出高功率半导体激光列阵模块。激光芯片宽1 cm,腔长1 200μm,条宽200μm,填充密度为50%,前后腔面光学膜分别为单层Al2O3和Al2O3/5(HfO2/SiO2)/HfO2,室温连续输出功率达到68.5 W,器件光谱中心波长为1 059 nm,光谱宽度(FWHM)为9 nm。

引用

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