纳米CeO2修饰碳糊电极微分脉冲伏安法对盐酸克伦特罗的测定

研究了盐酸克伦特罗（CLB）在纳米CeO2修饰碳糊电极上的电化学行为。结果表明:在0.10 mol.L-1的HClO4溶液中,CLB于+0.40 V（vsSCE）左右处产生1对准可逆的氧化还原峰。与裸碳糊电极相比,CLB在修饰电极上的电流响应明显增大,据此建立了尿样中CLB的微分脉冲伏安测定方法。线性范围为5.0×10-9～6.0×10-6mol.L-1（r=0.998 2,n=7）,检出限为2.5×10-9mol.L-1（3sb）,加标回收率为96%104%。