发光二极管可靠性的噪声表征

被引：17

作者：

胡瑾 ^{[1
]}

杜磊 ^{[1
]}

庄奕琪 ^{[2
]}

包军林 ^{[2
]}

周江 ^{[1
]}

机构：

[1] 西安电子科技大学技术物理学院

[2] 西安电子科技大学微电子学院

来源：

物理学报 | 2006年 / 03期

关键词：

1/f噪声; 发光二极管; 陷阱; 光功率;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN312.8 [];

学科分类号：

0803 ;

摘要：

通过对发光二极管内部结构的研究,发现Nt(界面态陷阱密度)和扩散电流比率是影响发光二极管性能的重要因素,并与器件可靠性有密切关系.器件内部存在的多种噪声中,低频1/f噪声可表征Nt和扩散电流比率.在深入研究发光二极管工作原理及1/f噪声载流子数涨落理论和迁移率涨落理论的基础上,建立了发光二极管的电性能模型及1/f噪声模型.在输入电流宽范围变化的条件下测量了器件的电学噪声,实验结果与理论模型符合良好.通过对其测量结果分析,深入研究了噪声和发光二极管性能与可靠性的关系,证明了噪声幅值越大,电流指数越接近于2,器件可靠性越差,失效率则显著增大.

引用

页码：1384 / 1389

页数：6