共 1 条
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U Koren et al. Applied Physics Letters .
光电子学与光电子产业专题系列介绍 量子阱电光调制器和光开关
被引：1
作者：
朱龙德
机构：
[1] 中国科学院半导体研究所北京
来源：
关键词：
二维激子;
光强度调制器;
电光调制器;
激子峰;
吸收边;
光开关;
半导体超晶格;
子阶;
InGaAs;
电场;
电磁场;
量子;
电场强度;
空穴;
载流子(半导体);
相位调制器;
调相器;
激子吸收;
吸收系数;
吸收率;
红移;
谱线位移;
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
讨论了半导体量子阱中量子限制Ｓｔａｒｋ效应（ＱＣＳＥ）──垂直于量子阶层而的电场下吸收边的红移现象．由于这个效应，量子阱材料吸收边附近的光学常数受电场调制，其调制率比体村料大得多．利用吸收系数的变化可以制作光强度调制器和光开关，利用折射率的变化可以制作光相位调制器和光开关．这些器件因其工作电压低、调制率高、插入损耗小、功耗小，可以和其他光器件单片集成，在光通信和光信息处理技术中有实用价值．也讨论了半导体超晶格中Ｗａｎｎｉｅｒ－Ｓｔａｒｋ局域化效应，它引起超晶格吸收边的兰移，这一效应也可用于制作光调制器和光开关．
引用
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