基于MOSFET的固体开关技术实验研究

被引：26

作者：

赵军平

章林文

李劲

机构：

[1] 中国工程物理研究院流体物理研究所室

[2] 中国工程物理研究院流体物理研究所室四川绵阳

[3] 四川绵阳

来源：

强激光与粒子束 | 2004年 / 11期

关键词：

FDTD; MHz重复频率; MOSFET; 固体开关;

D O I：

暂无

中图分类号：

TL531.1 [];

学科分类号：

082701 ;

摘要：

采用两只1kVMOSFET器件及驱动模块和高带宽光纤收发对,研究了固体开关技术中的触发信号高压隔离、功率MOSFET器件栅极驱动及MOSFET串并联使用等关键技术。单器件开关获得了1kV,13A,4MHz重复频率的脉冲串输出。两器件并联开关获得了130A,2MHz的输出。两器件串联开关获得了1 6kV,2MHz重复频率脉冲串输出。

引用

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