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GaAs(311)A衬底上自组装InAs量子点的结构和光学特性
被引：8
作者：
姜卫红
许怀哲
龚谦
徐波
王吉政
周伟
梁基本
王占国
机构：
[1] 中国科学院半导体研究所半导体材料开放研究实验室!北京
[2] 中国科学院半导体研究所
来源：
关键词：
量子点结构;
GaAs;
InAs;
衬底;
基片;
光学特性;
自组装量子点;
半高宽;
D O I：
暂无
中图分类号：
O485 [表面物理学];
学科分类号：
070205 ;
0805 ;
080502 ;
0809 ;
摘要：
报道了 Ｇａ Ａｓ （３１１） Ａ 衬底上的自组装 Ｉｎ Ａｓ 量子点的结构和光学特性．原子力显微镜结果表明（３１１） Ａ Ｇａ Ａｓ 衬底上的 Ｉｎ Ａｓ 量子点呈箭头状，箭头方向沿［２３３］ 方向．实验发现，量子点的光致发光（ Ｐ Ｌ） 强度、峰位、半高宽都与测量温度密切相关．随着温度的升高，量子点的发光强度减小，峰位快速红移，半高宽单调下降．可以认为这是由于载流子先被热激活到浸润层势垒后再被俘获到能量较低的量子点中进行复合造成的，这一模型圆满解释了我们的实验结果．
引用
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页码：1541 / 1546
页数：6
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