共 2 条
螺旋波等离子体增强化学气相沉积氮化硅薄膜
被引：11
作者：
于威
刘丽辉
侯海虹
丁学成
韩理
傅广生
机构：
[1] 河北大学物理科学与技术学院
[2] 河北大学物理科学与技术学院 保定
[3] 保定
来源：
关键词：
螺旋波等离子体;
化学气相沉积;
氮化硅薄膜;
D O I：
暂无
中图分类号：
TN304.05 [];
学科分类号：
0805 ;
080501 ;
080502 ;
080903 ;
摘要：
利用螺旋波等离子体增强化学气相沉积 (HWP CVD)技术 ,以SiH4 和N2 为反应气体进行了氮化硅 (SiN)薄膜沉积 ,并研究了实验参量对薄膜特性的影响 .利用傅里叶变换红外光谱、紫外—可见光谱和椭偏光检测等技术对薄膜的结构、厚度和折射率等参量进行了测量 .结果表明 ,采用HWP CVD技术能在低衬底温度条件下以较高的沉积速率制备低H含量的SiN薄膜 ,所沉积的薄膜主要表现为Si—N键合结构 .采用较低的反应气体压强将提高薄膜沉积速率 ,并使薄膜的致密性增加 .适当提高N2 SiH4 比例有利于薄膜中H含量的降低 .
引用
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页码：687 / 691
页数：5
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