交流电沉积制备SnO2纳米线及其电沉积条件研究

被引：8

作者：

陈艳辉

张兴堂

薛中会

杜祖亮

李铁津

机构：

[1] 河南大学特种功能材料重点实验室

[2] 河南大学特种功能材料重点实验室开封

[3] 开封

[4] 开封吉林大学光化学实验室

[5] 长春

来源：

无机材料学报 | 2005年 / 01期

关键词：

SnO2纳米线; 氧化铝模板; 交流电沉积;

D O I：

暂无

中图分类号：

TQ133 [第Ⅲ族金属元素的无机化合物];

学科分类号：

0817 ;

摘要：

采用阳极氧化的方法制备了孔径为30-50nm多孔阳极氧化铝(AAO)模板,用交流(AC)电沉积法在氧化铝模板孔洞内沉积金属锡,然后在空气中750℃加热含锡的模板10h,热氧化制备了直径在30-50nm SnO2纳米线.用扫描电子显微镜,透射电子显微镜,X射线衍射仪对所制备的SnO2纳米线进行了表征,表明所制备的纳米线为多晶结构.并通过改变交流电沉积过程中的电压,频率和热氧化时间来考察不同沉积条件对沉积结果的影响,发现采用交流沉积制备金属纳米线的过程中,频率和电压是影响沉积结果的关键因素.

引用

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