未找到相关数据
镶嵌在氧化硅薄膜中纳米晶硅的可见光荧光谱与发光机制的研究
被引：13
作者：
朱美芳
陈国
许怀哲
韩一琴
谢侃
刘振祥
唐勇
陈培毅
机构：
[1] 中国科学技术大学研究生院物理部半导体超晶格国家重点实验室
[2] 中国科学院物理研究所
[3] 清华大学微电子学研究所
来源：
关键词：
纳米晶硅;
发光机制;
氧化硅薄膜;
退火温度;
D O I：
暂无
中图分类号：
O734.3 [];
学科分类号：
0803 ;
摘要：
采用对非晶氧化硅薄膜退火处理方法，获得纳米晶硅与氧化硅的镶嵌结构．室温下观察到峰位为２４０ｅＶ光致发光．系统地研究了不同退火温度对薄膜的Ｒａｍａｎ谱、光荧光谱及光电子谱的影响．结果表明，荧光谱可分成两个不随温度变化的峰位为１８６和２３０ｅＶ的发光带．Ｓｉ２ｐ能级光电子谱表明与发光强度一样Ｓｉ４＋强度随退火温度增加而增加．Ｓｉ平均晶粒大小为４１—８０ｎｍ，不能用量子限制模型解释蓝绿光的发射．纳米晶硅与ＳｉＯ２界面或ＳｉＯ２中与氧有关的缺陷可能是蓝绿光发射的主要原因
引用
收藏
页码：190 / 196
页数：7
相关论文