柔性衬底ITO膜的性质与制备参数关系的研究

被引：35

作者：

杨志伟

韩圣浩

杨田林

叶丽娜

马洪磊

韩锡贵

机构：

[1] 山东大学光电材料研究所,山东大学光电材料研究所,淄博学院,山东大学光电材料研究所,山东大学光电材料研究所,山东省科学院测试中心济南,济南,淄博,济南,济南,济南

来源：

太阳能学报 | 2001年 / 03期

关键词：

ITO; 光电性质; 溅射;

D O I：

暂无

中图分类号：

TB43 [薄膜技术];

学科分类号：

080101 [一般力学与力学基础];

摘要：

用偏压磁控溅射法在水冷PPA(PolypropyleneAdipate)聚脂胶片上制备了性能优良的ITO(IndiumTinOxide)透明导电膜 ,对薄膜的光电性质进行了研究。制备样品的相对透过率为 80 %左右、最小电阻率为 6 .3× 10 -4 Ωcm ,与衬底附着良好。当衬底负偏压为 40V时 ,晶粒平均尺寸最大为 5 5nm ,相应地自由载流子霍耳迁移率有最大值为 89 3cm2 /Vs,薄膜的电阻率有最小值。X射线衍射表明薄膜为多晶纤锌矿结构 ,垂直于衬底的C轴具有 [2 2 2 ]方向的择优取向 ,随衬底负偏压的增大 ,沿 [4 0 0 ]方向生长的晶相减少。最佳衬底负偏压取值范围为 2 0～ 40V。XPS分析表明随衬底负偏压的增大 ,薄膜中的氧空位浓度最大 ,自由载流子浓度有所增大

引用

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