退火温度和β-FeSi2薄膜厚度对n-β-FeSi2/p-Si异质结太阳电池的影响

被引：15

作者：

郁操 ^{[1
]}

侯国付 ^{[1
]}

刘芳 ^{[2
]}

孙建 ^{[1
]}

赵颖 ^{[1
]}

耿新华 ^{[1
]}

机构：

[1] 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所

[2] 河北工业大学信息工程学院

来源：

人工晶体学报 | 2009年 / 38卷 / 03期

关键词：

β-FeSi2薄膜; 直流磁控溅射; 退火温度; 异质结太阳电池;

D O I：

10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2009.03.050

中图分类号：

TM914.4 [太阳能电池];

学科分类号：

080811 [新能源发电与电能存储];

摘要：

本文采用室温直流磁控溅射Fe-Si组合靶的方法,并通过后续退火温度的优化得到了单一相高质量的β-FeSi2薄膜。结果表明,在本实验条件下得到的未掺杂的β-FeSi2薄膜在室温下是n型导电的,其电学特性存在一个退火温度的最优点:800℃。而且在这个最佳温度点上,在Si(111)衬底上外延得到的薄膜载流子迁移率比在Si(100)上高出了一倍多。在上述研究的基础上,采用p-Si(111)单晶片作为外延生长β-FeSi2薄膜的衬底,并通过退火温度和薄膜厚度的优化制备出了国内第一个n-β-FeSi2/p-Si异质结太阳电池,其Jsc=7.90 mA/cm2,Voc=0.21V,FF=0.23,η=0.38%。

引用

页码：662 / 665+676 +676

页数：5

共 3 条

[1]

β-FeSi2半导体薄膜与Si基体取向关系的研究 [J].

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