肖特基二极管异常击穿特性曲线的研究

被引：2

作者：

刘法斌

张平

周明

董军

机构：

[1] 济南半导体元件实验所!济南,济南大学!济南,济南半导体元件实验所!济南

来源：

山东电子 | 2001年 / 02期

关键词：

肖特基势垒二极管; 硅化物; 异常击穿特性曲线; 保护环;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN31 [半导体二极管];

学科分类号：

070208 [无线电物理];

摘要：

本文简述了肖特基二极管的原理，结构、性能特点，分析了生产中经常出现的异常击穿特性曲线，并提出了相应的改进措施。

引用

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共 1 条

[1]

集成电路制造技术.[M].庄同曾等编;.电子工业出版社.1987,