TiO2和SiO2薄膜应力的产生机理及实验探索

被引：27

作者：

顾培夫

郑臻荣

赵永江

刘旭

机构：

[1] 浙江大学现代光学仪器国家重点实验室

来源：

物理学报 | 2006年 / 12期

关键词：

薄膜应力; 离子辅助淀积; 聚集密度;

D O I：

暂无

中图分类号：

O484.2 [薄膜中的力学效应];

学科分类号：

080501 ; 1406 ;

摘要：

对最常用的TiO2和SiO2薄膜应力,包括应力模型、应力测试方法和不同实验条件下的应力测试结果作了研究.基于曲率法模型,对TiO2和SiO2单层膜和多层膜进行了实验测试,得到了一些有价值的结果,特别是离子辅助淀积和基板温度等工艺参数对薄膜应力的影响.提出了薄膜聚集密度是应力的重要因素,低聚集密度产生张应力,而高聚集密度产生压应力.在多层膜中通过调节工艺参数,适当地控制张应力或压应力,可使累积应力趋向于零.

引用

页码：6459 / 6463

页数：5

共 9 条

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