纳米压印技术制备表面光子晶体LED的研究

被引：11

作者：

彭静 ^{[1
]}

徐智谋 ^{[2
]}

吴小峰 ^{[2
]}

孙堂友 ^{[2
]}

机构：

[1] 武汉科技大学理学院

[2] 华中科技大学光学与电子信息学院

来源：

物理学报 | 2013年 / 62卷 / 03期

关键词：

光子晶体; 纳米压印; 发光二极管;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN312.8 [];

学科分类号：

0803 ;

摘要：

利用表面光子晶体能大幅提高发光二极管(LED)的外量子效率,但如何制备大面积的纳米光子晶体是该研究方向的主要难点之一.本文基于纳米压印技术在氮化镓基发光二极管(GaN-LED)表面制作孔状二维光子晶体.通过以金属和聚合物双层掩膜干法刻蚀法,得到了很好的光子晶体图形转移效果.最终在LED的p-GaN层表面获得了大面积光子晶体,周期为450nm,纳米孔直径为240nm.器件测试结果显示,有表面光子晶体的LED比没有光子晶体的LED,光致发光强度峰值提高到了7.2倍.

引用

页码：245 / 251

页数：7

共 12 条

[1]

Oh M S,Kim S H,Seong T Y. Applied Physics Letters . 2005

[2]

Magnetic properties of Mn-doped ZnO. Fukumura T,Jin Z W,Kawasaki M,et al. Applied Physics Letters . 2001

[3]

H Ichikawa,T Baba. Applied Physics Letters . 2004

[4]

Ki mJ,Gessmann T,Luo H,Schubert E. Applied Physics Letters . 2004

[5]

Intrusion Detection for Wireless Mesh Networks using Finite State Machine. YI Ping,WU Yue,LIU Ning,WANG Zhiyang. China Communications . 2010

[6]

Long D H,Hwang I K,Ryu S W. IEEE J.Sele.Top.Quan.Electro . 2009

[7]

C. Huh,K. S. Lee,E. J. Kang,S. J. Park. Journal of Applied Physics . 2003

[8]

S.H.Kim,S.Nam,J.Jang,K.Hong,C.Yang,D.S.Chung,C.E.Park,W.-S.Choi. Journal of Applied Physiology . 2009

[9]

Jung G Y. Nano Letters . 2006

[10]

Two-dimensional antiferromagnetic quantum spin-fluid state in La2 CuO4. SHIRANE G,ENHOH Y,BIRGENAU R J,et al. Physical Review Letters . 1987

← 1 2 →