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晶体生长过程的分子动力学模拟研究
被引：21
作者：
陈柳
程兆年
唐鼎元
机构：
[1] 中国科学院上海冶金研究所,中国科学院福建物质结构研究所
来源：
关键词：
分子动力学模拟，晶体生长，RbCl晶体，BaB2O4晶体;
D O I：
10.16553/j.cnki.issn1000-985x.1999.02.001
中图分类号：
O781 [晶体生长理论];
学科分类号：
070307 [化学生物学];
摘要：
本文采用晶液两层构型方法，分子动力学模拟研究了ＲｂＣｌ和β ＢａＢ２Ｏ４（ＢＢＯ）两种晶体的生长过程。模拟ＲｂＣｌ的晶体生长，可以清晰地观察到结晶时固液界面的运动过程，表明对于简单离子晶体，Ｆｕｍｉ Ｔｏｓｉ势和由宏观压缩模量得到的势参数很好的反映了离子间相互作用。ＢＢＯ的晶体生长模拟使用与ＲｂＣｌ模拟相同的方法，随着经验性的简单约束条件的增加，熔体中（Ｂ３Ｏ６）环增多。当使用（Ｂ３Ｏ６）环束缚约束时，实现了ＢＢＯ晶体模拟生长。模拟结果表明，ＢＢＯ结晶可能仅在熔体中存在一定量（Ｂ３Ｏ６）环基元时才能发生
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