未找到相关数据
铌酸锂的反应离子刻蚀
被引：2
作者：
应再生
黄涛
机构：
[1] 上海交通大学应用物理系
来源：
关键词：
集成光学;
铌酸锂;
反应离子刻蚀;
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
本文介绍了铌酸锂晶体在四氟化碳气氛中的反应离子刻蚀。对刻蚀参数的选择原则从机理上加以探讨,并对掩膜的选择进行了试验,最后得到线宽为3.5mm的铌酸锂光栅和槽深为1.1mm的铌酸锂沟道的刻蚀样品。
引用
收藏
页码：35 / 38
页数：4
相关论文