功率器件失效机理研究分析

被引：3

作者：

王成刚

机构：

[1] 西安卫光科技有限公司

来源：

民营科技 | 2011年 / 10期

关键词：

功率器件; 封装; 失效机理; 芯片;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN405 [制造工艺];

学科分类号：

140103 [集成电路制造工程];

摘要：

功率器件封装失效机理可以根据封装工艺流程分成三个部分,芯片焊接(dieattach)时的焊料缺陷,打线(Wirebond)时的引线缺陷,最后塑封成型(molding)时的分层缺陷。除了采用以上三种分析手段定位和分析封装缺陷外,对于比较复杂的封装缺陷,如因为打线外力对芯片造成的打线损伤(bonding damge),环境或操作不当造成芯片沾污等,还可以利用聚焦离子束(focused ion beam,FIB),能量弥散X射线探测器(energy dis-persive X-ray detector,EDX)等分析手段。FIB可利用离子束去除芯片表面绝缘层或金属层,从而观察引线键合部分下层的芯片损伤。EDX可利用元素分析功能判断是否存在外来污染。

引用

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